所謂憶阻器，全稱記憶電阻器（Memristor），是繼電阻、電容、電感之后的第四種電路基本元件，顯示磁通與電荷之間的關(guān)系，最早由加州大學(xué)伯克利分校教授蔡少棠在 1971 年預(yù)言存在，惠普公司在 2008 年研造成功。
簡言之，這種組件的的電阻會隨著通過的電流質(zhì)而扭轉(zhuǎn)，而且就算電流進行了，它的電阻依然會停留在之前的值，直到承遭到反向的電流它才會被推回去，就是說能「記住」之前的電流質(zhì)。
受人腦啟發(fā)，憶阻器設(shè)備被組織成交叉點陣列，以實現(xiàn)大規(guī)模并行的內(nèi)存計算并提高電源效率。
這種巧妙的機制和我們大腦中的生物突觸和神經(jīng)元有相仿之處，同時憶阻器還具有尺寸小、操作功耗低、可大規(guī)模集成（三維集成）等優(yōu)點，可以制成高密度交叉點陣列，以通過物理定律實現(xiàn)內(nèi)存內(nèi)部大規(guī)模并行乘積計算（CIM）。